方法一、测量极间电阻法。

将万用表置于皮RXl k档，如果测得T2-T1 、 T2-G之间的正反向电阻接近，，而万用表置于RX 10档测得T 1-G之间的正反向电阻在几十欧姆时。就说明双向可控硅是好的。可以使用。反之。若测得 T2-T 1 ,、T2—G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而 Tl -G之间的正反向电阻很小或接近于零时•就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用、如果测得T1 -G之间的正反向电阻很大、接近、时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏。也不能使用。方法二。检查触发导通能力。万用表置于RX 10档、①‘… 1 ，a。所示。用黑表笔接主电极T2，红表笔接T 1 、 即给T2加正向电压。再用短路线将G与T 1 、或T2， 短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置， 说明双向可控硅中的一部分、其中一个单向可控硅。是好的。b，所示、改黑表笔接主电极T 1 。红表笔接T2、 即给T 1加正向电压、再用短路线将G与T 1 、或T2。 短接一下后离开，如果结果同上。也证明双向可控硅中的另一部分 、其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的、 即在两个方向在不同极性的触发电压证，均能触发导通。图1判断双向可控硅的触发导通能力方法三，检查触发导通能力。如图2所示.取一只10uF左右的电解电容器、将万用表置于RX 10k档。V电压， 、对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线。 即利用电容器上所充的电压作为触发信号。然后再将万用表置于RX 10档,照图2 ，b，连接1/2页好后进行测试。测试时、 电容C的极性可任意连接。 同样是碰触一下后离开、观察表头指针偏转情况，如果测试结果与 方法二'相同、就证明双向可控硅是好的。图2判断双向可控硅的触发导通能力应用此法判断双向可控硅的触发导通能力更为可靠。 由于电解电容器上充的电压较高，使触发信号增大、更利于判断大功率双向可控硅的触发能力。

2. 双向可控硅参数符号I T(AV)--通态平均电流VRRM-反向反复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不反复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VG T--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthj c--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VD RM-通态反复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流I F(AV)--正向平均电流