IGBT是一种功率半导体器件，其结构中有p沟道和n沟道，它们的主要区别是控制信号与电流之间的极性关系不同。

n沟道 IGBT 是电子注入的，它通常用于负极性工作方式，控制信号为正极性，当控制信号施加到控制端的时候，会引起电子从n沟道导通电极注入p层集电极，从而实现IGBT的导通。p沟道 IGBT 是空穴注入的，它通常用于正极性工作方式，控制信号为负极性。当控制信号施加到控制端的时候，会引起空穴从p沟道导通电极进入n层集电极，从而实现 IGBT 的导通。在特定的应用场合中，n沟道和p沟道 IGBT 都有它们的优势和劣势，因此要根据具体需求进行选择。